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ROHM RS1E300GNTB MOSFET, CANAL N, 30V, 80A, HSOP


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2706649
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RS1E300GNTB
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0017 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 80 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor HSOP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 33 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, RS1E300GNTB, 2706649, 270-6649
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