N.º art.: 6368-2706714
N.º fabricante: UM6J1NTN
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 200 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 200 mA Tipo de Canal Canal P Disipación de Potencia Canal N 150 mW Disipación de Potencia Canal P 150 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-363 Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
Double ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Transistors ,
ROHM ,
UM6J1NTN ,
2706714 ,
270-6714
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