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VISHAY SQJ860EP-T1_GE3 Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2708311
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SQJ860EP-T1_GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 60 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 48 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.005 ohm Gama de Producto TrenchFET
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SQJ860EP-T1_GE3, 2708311, 270-8311
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