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INFINEON IPD30N06S2L23ATMA3 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 55V, TO-252


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N.º art.:
     6368-2709861
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPD30N06S2L23ATMA3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0159 ohm Gama de Producto OptiMOS Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 30 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 55 V Disipación de Potencia 100 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IPD30N06S2L23ATMA3, 2709861, 270-9861
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