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INFINEON IPP076N12N3GXKSA1 MOSFET, CANAL N, 120V, 100A, TO-220


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2709920
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPP076N12N3GXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0065 ohm Gama de Producto OptiMOS 3 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 100 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 120 V Disipación de Potencia 188 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IPP076N12N3GXKSA1, 2709920, 270-9920
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