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ONSEMI BVSS123LT1G MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 100V, SOT-23


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N.º art.:
     6368-2727944
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     BVSS123LT1G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 6 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 170 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 225 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, BVSS123LT1G, 2727944, 272-7944
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