ONSEMI NTLJF4156NT1G MOSFET, CANAL N, 30V, 3.7A, WDFN

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.047 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N + Schottky Corriente de Drenaje Continua Id 3.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor WDFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 1.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 700 mV Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)