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ONSEMI NVTFS5116PLTWG MOSFET, AEC-Q101, CANAL P, -60V, WDFN


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N.º art.:
     6368-2728053
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NVTFS5116PLTWG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.037 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 14 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor WDFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 21 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (27-Jun-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, NVTFS5116PLTWG, 2728053, 272-8053
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