N.º art.: 6368-2729833
N.º fabricante: SI3493DDV-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.02 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSOP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 3.6 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SI3493DDV-T1-GE3 ,
2729833 ,
272-9833
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