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ONSEMI NVD5C688NLT4G MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 60V, TO-252


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N.º art.:
     6368-2760518
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NVD5C688NLT4G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0228 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 17 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 18 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, NVD5C688NLT4G, 2760518, 276-0518
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