ROHM RHP030N03FRAT100 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 30V, SOT-89

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.09 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-89 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 500 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)