ROHM RTF016N05FRATL MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 45V, TUMT

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.14 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 1.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TUMT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 45 V Disipación de Potencia 800 mW Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)