ONSEMI ATP304-TL-H MOSFET, CANAL P, -60V, -100A, ATPAK

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.005 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 100 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor ATPAK Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 90 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)