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NEXPERIA BUK9Y3R0-40E,115 MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 40V, SOT-669


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N.º art.:
     6368-2777599
Fabricante:
     Nexperia
N.º fabricante:
     BUK9Y3R0-40E,115
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00198 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 100 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOT-669 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 194 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, BUK9Y3R0-40E,115, 2777599, 277-7599
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