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INFINEON IPD80R4K5P7ATMA1 MOSFET, CANAL N, 800V, 1.5A, TO-252


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N.º art.:
     6368-2781178
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPD80R4K5P7ATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 4.5 ohm Gama de Producto CoolMOS P7 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 1.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 13 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IPD80R4K5P7ATMA1, 2781178, 278-1178
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