| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-2835610 N.º fabricante: NVMFD5C674NLT1G EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 42 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 42 A Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 37 W Disipación de Potencia Canal P 37 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor DFN Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, ONSEMI, NVMFD5C674NLT1G, 2835610, 283-5610 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |