| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 6368-2839487 N.º fabricante: IRFB3407ZPBF EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.005 ohm Gama de Producto HEXFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 120 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 75 V Disipación de Potencia 230 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IRFB3407ZPBF, 2839487, 283-9487 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |