VISHAY SI7850ADP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 60V, 12A, POWERPAK SO

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.016 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 12 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 35.7 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised