N.º art.: 6368-2846634
N.º fabricante: SISA01DN-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0041 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 60 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAK 1212 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 52 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SISA01DN-T1-GE3 ,
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284-6634
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