N.º art.: 6368-2857069
N.º fabricante: SIR104DP-T1-RE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 79 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0053 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Encapsulado del Transistor PowerPAK SO Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 100 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET ,
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Transistor SMD ,
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Transistores ,
Transistor ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
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Transistors ,
VISHAY ,
SIR104DP-T1-RE3 ,
2857069 ,
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