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ONSEMI NVMFS6H818NT1G MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 80V, DFN


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N.º art.:
     6368-2895711
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NVMFS6H818NT1G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0031 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 123 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor DFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 136 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, NVMFS6H818NT1G, 2895711, 289-5711
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