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ONSEMI FDC5661N-F085 MOSFET, CANAL N, 60V, 4.3A, 150°C, 1.6W


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N.º art.:
     6368-2929775
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDC5661N-F085
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.038 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 4.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SuperSOT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 1.6 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FDC5661N-F085, 2929775, 292-9775
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