VISHAY SIHA15N50E-GE3 MOSFET, CANAL N, 500V, 14.5A, 150°C, 33W

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.243 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 14.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-220FP Tensión Drenador-Fuente (Vds) 500 V Disipación de Potencia 33 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised