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ONSEMI SI4435DY. MOSFET, P CHANNEL0, -30V, -8.8A, SOIC


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-2985405
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     SI4435DY.
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.015 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 8.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 2.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.7 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, SI4435DY., 2985405, 298-5405
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