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ONSEMI FDP085N10A-F102 MOSFET, CANAL N, 100V, 96A, TO-220


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-3003981
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDP085N10A-F102
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00735 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 96 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 188 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85413000
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FDP085N10A-F102, 3003981, 300-3981
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