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| N.º art.:
6368-3004008 N.º fabricante:
FCMT199N60 EAN/GTIN:
Sin datos |
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| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto SuperFET II Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 20.2 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PQFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 208 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: | | Customs tariff number: | 85413000 |
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| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FCMT199N60, 3004008, 300-4008 |
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| | Resumen de condiciones1 | | | | Plazo de entrega | Stock en almacén | Precio | | | | | | | | a partir de € 2,20* | | | | Precio válido a partir de 9.000 unidades | | | | | Ver más almacenes con otras condiciones | | | | | | | | Precios escalonados | | Cantidad de pedido | Neto | Bruto | Unidad | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | a partir de 3000 unidades | | | | a partir de 6000 unidades | | | | a partir de 7500 unidades | | | | a partir de 9000 unidades | | | |
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