ROHM R6012JNJGTL MOSFET, CANAL N, 12A, 600V, TO-263S

Tensión de Prueba Rds(on) 15 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.3 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 12 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263S Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 160 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)