N.º art.: 6368-3018889
N.º fabricante: FCMT299N60
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.25 ohm Gama de Producto SuperFET II Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 12 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PQFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 125 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
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Customs tariff number:
85413000
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Transistor ,
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FCMT299N60 ,
3018889 ,
301-8889
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