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ONSEMI NVMTS0D7N06CTXG MOSFET AEC-Q101 CANAL N, 60V/464A, DFNW


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N.º art.:
     6368-3018997
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     NVMTS0D7N06CTXG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 550 µohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 464 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor DFNW Tensión Drenador-Fuente (Vds) 60 V Disipación de Potencia 294.6 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85413000
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, NVMTS0D7N06CTXG, 3018997, 301-8997
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