VISHAY SIHB120N60E-GE3 MOSFET, CANAL N, 25A, 600V, TO-263

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.104 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 25 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 179 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised