N.º art.: 6368-3050581
N.º fabricante: SIHD2N80AE-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2.5 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.9 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 62.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
Más información:
Customs tariff number:
85412900
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Transistors ,
VISHAY ,
SIHD2N80AE-GE3 ,
3050581 ,
305-0581
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