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ROHM SCT3022ALHRC11 MOSFET, CANAL N, 650V, 93A, 175°C, 339W


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-3052181
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     SCT3022ALHRC11
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.022 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 93 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-247N Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 339 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, ROHM, SCT3022ALHRC11, 3052181, 305-2181
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