|  |
| |
| N.º art.:
6368-3127557 N.º fabricante:
DMG6602SVT-7 EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3.4 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 3.4 A Tipo de Canal Canal complementario N y P Disipación de Potencia Canal N 840 mW Disipación de Potencia Canal P 840 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSOT-26 Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, DIODES INC., DMG6602SVT-7, 3127557, 312-7557 |
| | |
| | Resumen de condiciones1 | | | | Plazo de entrega | Stock en almacén | Precio | | | | | | |  En stock |
| a partir de € 0,0622* | | | | Precio válido a partir de 1.500.000 unidades | | | | | | Pedidos sólo en múltiplos de 3.000 unidades | | | | | Ver más almacenes con otras condiciones | | | | | | | | Precios escalonados | | Cantidad de pedido | Neto | Bruto | Unidad | | a partir de 3000 unidades | | | | a partir de 6000 unidades | | | | a partir de 9000 unidades | | | | a partir de 15000 unidades | | | | a partir de 30000 unidades | | | | a partir de 1500000 unidades | | | |
|
| | |
|
|