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DIODES INC. ZXMN10A07FTA MOSFET, CANAL N, 100V, 0.7A, 0.625W


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N.º art.:
     6368-3127650
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     ZXMN10A07FTA
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de efecto de campo
Transistores de efecto de campo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.54 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 700 mA Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-23 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 625 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor de efecto de campo, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, DIODES INC., ZXMN10A07FTA, 3127650, 312-7650
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