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STMICROELECTRONICS STB45N60DM2AG MOSFET AECQ101 CANAL N 600V 34A TO-263


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-3129762
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STB45N60DM2AG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.085 ohm Gama de Producto MDmesh DM2 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 34 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 250 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, STMICROELECTRONICS, STB45N60DM2AG, 3129762, 312-9762
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