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ROHM R6076KNZ4C13 MOSFET, CANAL N, 600V, 76A, 150°C, 735W


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N.º art.:
     6368-3213684
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6076KNZ4C13
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.038 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 76 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 735 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, R6076KNZ4C13, 3213684, 321-3684
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