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ROHM R6504ENJTL MOSFET, CANAL N, 650V, 4A, 150°C, 58W


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-3213685
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     R6504ENJTL
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.955 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 4 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263S Tensión Drenador-Fuente (Vds) 650 V Disipación de Potencia 58 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, R6504ENJTL, 3213685, 321-3685
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