ROHM RQ6C050UNTR MOSFET, CANAL N, 20V, 5A, 150°C, 1.25W

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.022 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-457T Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 1.25 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)