ROHM RQ6E045RPTR MOSFET, CANAL P, -30V, -4.5A, 150°C

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 4.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-457T Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 1.25 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)