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INFINEON IMZ120R090M1HXKSA1 MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 26A, 175°C, 115W


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N.º art.:
     6368-3223686
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMZ120R090M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.09 ohm Gama de Producto CoolSiC Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 26 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 115 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, INFINEON, IMZ120R090M1HXKSA1, 3223686, 322-3686
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
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Accesorios
Driver de puerta MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS 18 A PG-DSO-8-66 8 pines
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
a partir de € 1,769*
Accesorios
Módulo controlador de puerta 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS 10 A PG-DSO-8 8 pines
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
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