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INFINEON IMZ120R350M1HXKSA1 MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 4.7A, 175°C, 60W


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-3223689
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IMZ120R350M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.35 ohm Gama de Producto CoolSiC Número de Pines 4 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 4.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 60 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Más información:
Customs tariff number:
85411000
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistores, Transistor, transistor de potencia, (SiC), Carbide, Discretos, Módulos, MOSFETs, Semiconductores, Silicon, Transistors, INFINEON, IMZ120R350M1HXKSA1, 3223689, 322-3689
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