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| N.º art.: 6368-3236760 N.º fabricante: NTMYS8D0N04CTWG EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0067 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 49 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor LFPAK Tensión Drenador-Fuente (Vds) 40 V Disipación de Potencia 38 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, NTMYS8D0N04CTWG, 3236760, 323-6760 |
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