ONSEMI NTTFS6H850NLTAG SINGLE MOSFET TRANSISTORS

Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 64 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor WDFN Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 73 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.6 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0071 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial