|  |
| |
| N.º art.:
6368-3253682 N.º fabricante:
FDD86367-F085 EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0033 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 100 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 80 V Disipación de Potencia 227 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, mosfet 10v, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FDD86367-F085, 3253682, 325-3682 |
| | |
| |