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ROHM RSQ035P03HZGTR MOSFET, CANAL P, -30V, 150°C, 1.25W


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N.º art.:
     6368-3261729
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     RSQ035P03HZGTR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.045 ohm Gama de Producto - Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 3.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSMT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 1.25 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ROHM, RSQ035P03HZGTR, 3261729, 326-1729
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