N.º art.: 6368-3270923
N.º fabricante: NTJD5121NT1G
EAN/GTIN: Sin datos
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 304 mA Disipación de Potencia Canal P 266 mW Encapsulado del Transistor SOT-363 Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Unlimited Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Disipación de Potencia Canal N 266 mW Tipo de Canal N Channel Gama de Producto - Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024) Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 304 mA Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Número de Pines 6 Pines
Más información:
Customs tariff number:
85412100
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
Discretos ,
Double ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Transistors ,
ONSEMI ,
NTJD5121NT1G ,
3270923 ,
327-0923
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