N.º art.: 6368-3280636
N.º fabricante: SIZ250DT-T1-GE3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 38 A Gama de Producto TrenchFET Gen IV Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 60 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 38 A Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 33 W Disipación de Potencia Canal P 33 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PowerPAIR Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
Discretos ,
Double ,
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Semiconductores ,
Transistors ,
VISHAY ,
SIZ250DT-T1-GE3 ,
3280636 ,
328-0636
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