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| N.º art.: 6368-3287984 N.º fabricante: PMPB55XNEAX EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.055 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 3.8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor DFN2020MD Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 1.95 W Calificación AEC-Q101 Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, NEXPERIA, PMPB55XNEAX, 3287984, 328-7984 |
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