N.º art.: 6368-3361191
N.º fabricante: LSIC1MO120E0080
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.08 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 39 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV Disipación de Potencia 179 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2.8 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (16-Jul-2019)
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Customs tariff number:
85411000
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistores ,
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(SiC) ,
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LSIC1MO120E0080 ,
3361191 ,
336-1191
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