STMICROELECTRONICS STB10LN80K5 MOSFET, CANAL N, 800V, 8A, 150°C, 110W

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.55 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 8 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 800 V Disipación de Potencia 110 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)